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本申请公开了一种3D NAND存储器件的金属栅极的制备方法，包括提供衬底，衬底上形成有绝缘层和牺牲层交替层叠结构以及贯穿层叠结构的栅线缝隙，通过栅线缝隙去除牺牲层的部分，使其向远离栅线缝隙方向缩进，使得绝缘层的对应部分露出，然后处理绝缘层的...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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