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本发明提供能提高电路部的浪涌耐量且能减少输出段部的导通电阻的半导体装置及半导体装置的制造方法。在半导体基板(13)的输出段部(41)设置有纵向型MOSFET(10)，在电路部(42)设置有横向型n沟道MOSFET(20)以及由沿深度方向贯通...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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