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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构，所述栅极结构的顶部表面具有掩膜层；在所述栅极结构两侧的基底内形成口袋区；形成所述口袋区之后，在所述掩膜层上形成第一保护部，所述第一保护部完全覆盖所述掩膜层的顶部表面...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。