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本公开涉及一种III‑V衬底上的高介电常数电容器结构。一种半导体结构包含III‑V半导体结构；第一电极；安置于所述第一电极上方的第一阻挡层；安置于所述第一电极上方的第一粘附层；安置于所述第一粘附层上方的第一钝化层；安置于所述第一钝化层上方的...
该专利属于安华高科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安华高科技股份有限公司授权不得商用。

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