下载一种碳化硅纳米线疏水涂层及其制备方法的技术资料

文档序号:20008342

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本发明公开了一种碳化硅纳米线疏水涂层及其制备方法,其特征在于,所述的碳化硅纳米线疏水涂层由直径为30‑100nm的碳化硅纳米线组成,厚度为0.5‑1.0mm,疏水角为150°;利用先驱体聚碳硅烷粉末1100‑1200℃热解、在基体上沉积得到...
该专利属于南京航空航天大学所有,仅供学习研究参考,未经过南京航空航天大学授权不得商用。

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