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本文中描述一种由绝缘体上半导体(SOI)晶片形成的N型延伸漏极晶体管。所述晶体管具有直埋P型区，所述直埋P型区通过在所述晶体管的漂移区正下方的位置处将P型掺杂剂选择性注入于所述晶片的半导体层中来形成。所述晶体管还包括位于P阱区中的源极以及漏...
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