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本发明公开了半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，包括位于衬底上的一个或多个半导体鳍片；位于鳍片上的栅极结构；位于鳍片中在栅极结构至少一侧的有源区；以及至少覆盖有源区的层间电介质层；在层间电介质层和栅极结构之...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。