温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：半导体衬底和在该半导体衬底上的栅极结构；在该半导体衬底上且在该栅极结构的至少一侧形成多晶材料层；对该多晶材料层执行非晶化处理，使得...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。