温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有第一鳍部；在隔离层上形成横跨所述第一鳍部的伪栅结构；在所述伪栅结构侧壁形成第一掩膜侧墙；在所述第一鳍部内形成第一源区和第一漏区；形成暴露出所述伪栅结构的顶部表...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。