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本发明涉及一种瞬态电压抑制器，包括：衬底；形成于所述衬底表面区域的第二导电类型的第一注入区；形成于所述衬底上的第一外延层；形成在所述第一外延层上的第一导电类型的第二外延层；形成在所述第二外延层内且位于所述第一部分上方的第一沟槽，以及形成第二...
该专利属于盛世瑶兰（深圳）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛世瑶兰（深圳）科技有限公司授权不得商用。

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