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一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：形成基底，所述基底上具有栅极结构；在所述基底上形成第一介质层；去除部分厚度的所述第一介质层，使剩余的第一介质层顶部低于所述栅极结构的顶部；在露出的所述栅极结构侧壁上形成隔离侧墙。所述隔离侧墙能够...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。