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本发明提供了一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件中，第一开孔贯穿第一衬底并位于第一金属层上方，第二开孔贯穿第一衬底、第一介质层和部分厚度的第二介质层并位于第二金属层上方，第一开孔与第二开孔并不相互连通，即第一开孔和第二开孔是纵向分离的...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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