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本发明揭示了一种半导体结构的制作方法，包括：提供前端结构，所述前端结构包括掩膜层及位于所述掩膜层上的第一介质层，所述第一介质层包括多个间隔设置的第一介质块；在所述掩膜层及所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层位于相邻所述第一介质块之...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。