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本发明公开了一种MEMS电极微桥形成方法，包括如下步骤：步骤1、准备一硅基板，该硅基板上形成有带牺牲层非晶硅薄膜，在该非晶硅薄膜上覆盖SiO2；步骤2、在步骤1所形成的硅片上形成电极接触层非晶硅膜；步骤3、在所述电极接触层非晶硅膜上依次形成...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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