MEMS电极微桥形成方法技术

本发明专利技术公开了一种MEMS电极微桥形成方法，包括如下步骤：步骤1、准备一硅基板，该硅基板上形成有带牺牲层非晶硅薄膜，在该非晶硅薄膜上覆盖SiO2；步骤2、在步骤1所形成的硅片上形成电极接触层非晶硅膜；步骤3、在所述电极接触层非晶硅膜上依次形成电极层TiN及表面SiO2，并图形化；步骤4、刻蚀步骤3形成的表面SiO2，露出电极层TiN；步骤5、湿法刻蚀电极层TiN，形成图形。本发明专利技术能够完整的形成MEMS电极微桥结构。

Microbridge Formation Method for Electrode of MEMS

The invention discloses a method for forming a micro-bridge of a micro-electrodes for a micro-electrodes in a micro-electro-mechanical system, which comprises the following steps: 1. preparing a silicon substrate on which a sacrificial layer amorphous silicon film is formed, and covering the amorphous silicon film with SiO 2; 2. forming an amorphous silicon film of an electrode contact layer on the silicon wafer formed in step 1; 3. sequentially forming an electrode layer TiN on the amorphous silicon film of the electrode contact layer; And the surface SiO 2, and graphical; step 4, the surface SiO 2 formed by etching step 3, exposed the electrode layer TiN; step 5, wet etching of the electrode layer TiN, forming the pattern. The invention can complete the formation of a micro bridge structure of a MEMS electrode.

【技术实现步骤摘要】
MEMS电极微桥形成方法
本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种MEMS(微机电系统)传感器经常用到的MEMS电极形成方法。
技术介绍
非晶硅是硅的同素异形体形式，能够以薄膜形式沉积在各种基板上，为各种电子应用提供某些独特的功能。非晶硅被用在大规模生产的微机电系统(MEMS)和纳米机电系统(NEMS)、太阳能电池、微晶硅和微非晶硅、甚至对于各种基板上的滚压工艺技术都是有用的。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种MEMS电极微桥形成方法，能够完整的形成MEMS电极微桥结构。为解决上述技术问题，本专利技术的MEMS电极微桥形成方法，包括如下步骤：步骤1、准备一硅基板，该硅基板上形成有带牺牲层非晶硅薄膜，在该非晶硅薄膜上覆盖二氧化硅(SiO2)；步骤2、在步骤1所形成的硅片上形成电极接触层非晶硅膜；步骤3、在所述电极接触层非晶硅膜上依次形成电极层TiN及表面SiO2，并图形化；步骤4、刻蚀步骤3形成的表面SiO2，露出电极层TiN；步骤5、湿法刻蚀电极层TiN，形成图形。采用本专利技术能够完整的形成MEMS电极微桥结构，尤其在电极刻蚀形成桥结构的三明治结构上。本专利技术的方法能够防止光刻胶在刻蚀TiN薄膜过程中的剥胶效应，以及在微桥结构释放时可以有效缓解因结构应力所造成的微桥塌陷。本专利技术适用于MEMS产品。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：图1是所示MEMS电极微桥形成方法一实施例流程图；图2是现有的MEMS电极微桥形成方法与本专利技术的MEMS电极微桥形成工艺方法对比流程示意图。具体实施方式参见图1、并结合图2(d)～(h)所示，所述MEMS电极微桥形成方法，是在SiO2基板上形成MEMS电极微桥结构，包括如下步骤：步骤1、结合图2(d)所示(带有TIN薄膜的硅片)，准备一硅基板，该硅基板上形成有带牺牲层非晶硅薄膜，在该非晶硅薄膜上覆盖二氧化硅(SiO2)；所述带牺牲层非晶硅薄膜采用为CVD(化学气相淀积)成膜方法形成。步骤2、结合图2(e)所示(成膜SiO2的硅片)，在步骤1所形成的硅片上形成电极接触层非晶硅膜。步骤3、结合图2(f)所示(涂抹光刻胶曝光后的硅片)，在所述电极接触层非晶硅膜上依次形成电极层TiN及表面SiO2，并图形化；所述电极层TiN采用PVD(物理气相沉积)或者CVD成膜方法形成，SiO2采用CVD成膜方法形成。步骤4、结合图2(g)所示(SiO2干法刻蚀后得到的图形)，刻蚀步骤3形成的表面SiO2，露出电极层TiN；刻蚀表面SiO2时，主要采用干法刻蚀，刻蚀出电极层TIN即停止刻蚀。步骤5、结合图2(h)所示(TiN湿法刻蚀后得到的图形)，湿法刻蚀电极层TiN，形成图形。刻蚀电极层TiN，主要采用湿法刻蚀，将SiO2刻蚀后的硅片做去除光刻胶处置,将不带胶的硅片放入湿法槽内处理。图2中，2为SiO2(二氧化硅)，3为TiN(氮化钛)，4为非晶硅，6表示光刻胶。图2(a)～(c)是现有的MEMS电极微桥形成方法流程示意图，其中，图2(a)表示带有TIN薄膜的硅片，图2(b)表示涂抹光刻胶曝光后的硅片，图2(c)表示TiN湿法刻蚀后得到的图形。以上通过具体实施方式对本专利技术进行了详细的说明，但这些并非构成对本专利技术的限制。在不脱离本专利技术原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS电极微桥形成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、准备一硅基板，该硅基板上形成有带牺牲层非晶硅薄膜，在该非晶硅薄膜上覆盖SiO2；步骤2、在步骤1所形成的硅片上形成电极接触层非晶硅膜；步骤3、在所述电极接触层非晶硅膜上依次形成电极层TiN及表面SiO2，并图形化；步骤4、刻蚀步骤3形成的表面SiO2，露出电极层TiN；步骤5、湿法刻蚀电极层TiN，形成图形。

【技术特征摘要】
1.一种MEMS电极微桥形成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、准备一硅基板，该硅基板上形成有带牺牲层非晶硅薄膜，在该非晶硅薄膜上覆盖SiO2；步骤2、在步骤1所形成的硅片上形成电极接触层非晶硅膜；步骤3、在所述电极接触层非晶硅膜上依次形成电极层TiN及表面SiO2，并图形化；步骤4、刻蚀步骤3形成的表面SiO2，露出电极层TiN；步骤5、湿法刻蚀电极层TiN，形成图形。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘善善，朱黎敏，朱兴旺，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31