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本实用新型提出了一种衰减片膜层结构，由上到下依次为Au层、TiW层、TiWN层、TiW层和TaN层，最底层为基片。本实用新型中的TiWN层阻止TiW层中大量的Ti原子往金层表面扩散，避免了Ti原子的流失，使得薄膜电路可以承受高温长时间加热，...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十一研究所授权不得商用。

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