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本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种新型半导体晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：衬底，所述衬底上设有一源区、一漏区以及连通所述源漏区的沟道区；一栅结构，所述栅结构是垂直结构，在晶体管开启时，源极的电子，顺着体内垂直多晶硅栅的两侧向漏极水...
该专利属于深圳市南硕明泰科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市南硕明泰科技有限公司授权不得商用。

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