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本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及与鳍FET器件一起使用的N‑P边界间隔物结构及其制造方法。该方法包括：形成多个第一鳍结构；在多个鳍结构中的第一鳍结构和多个鳍结构中的第二鳍结构之间形成阻挡层；以及在第一鳍结构上形成外延材料，而至少通过形成...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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