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本发明公开了一种高可靠性BZT无铅外延单晶储能薄膜及其制备方法；该制备方法在高温、高氧压环境下，利用超高真空射频磁控溅射技术，通过等离子体对靶材轰击，使靶材粒子沉积在基片上，并实现外延生长，得到BZT外延薄膜。因射频磁控溅射技术的特点，本身...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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