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本发明属于软磁材料制备技术领域，具体涉及一种无底层取向超薄带母材及其制备方法，母材原料组成为，C：0.035～0.075％，Si：2.8％～3.4％，Cu：0.20～0.45％，Sn：0.1～0.2％，Als:0.02％～0.03％，S：0...
该专利属于全球能源互联网研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过全球能源互联网研究院有限公司授权不得商用。

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