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一种槽栅DMOS器件，属于功率半导体技术领域。本发明器件在传统槽栅DMOS器件结构的基础上，在漂移区的顶部引入重掺杂的电流引导层；并进一步将金属化源极的两端向下延伸进入第二导电类型半导体体区形成沟槽结构；使得接触区位于金属化源极两端的沟槽底...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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