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本发明公开了一种功率器件芯片，包括：N型衬底；N型外延层，形成于N型衬底厚度方向一表面上；沟槽，形成于N型外延层内；P型体区，形成于N型外延层内并与沟槽两侧邻接；N+型源区，形成于P型体区内并与沟槽两侧邻接；沟槽内侧壁形成有氮氧化硅层，沟槽...
该专利属于深圳市金誉半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市金誉半导体有限公司授权不得商用。

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