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本发明公开了一种二极管及其制备方法，制备方法包括，对半导体晶片表面进行预处理，并在一侧的预处理层上涂覆第一液态金属，掺杂处理，停止掺杂处理后检测并筛选出单向导电性能满足预设值的半导体晶片，切割后在第一液态金属中固定金属丝作为阳极，去除另一侧...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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