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本发明公开了一种多晶硅栅的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面依次形成栅介质层、第一多晶硅层和硬质掩膜层；步骤二、依次对硬质掩膜层和所述第一多晶硅层进行刻蚀，刻蚀后的第一多晶硅层组成多晶硅栅；步骤三、在多晶硅栅的侧面自对准形成侧墙，...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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