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本发明提供浮栅的制作方法和分裂栅闪存，该方法包括建立样本：在炉管中采用低压化学气相淀积工艺在晶圆上生长多晶硅，并对该多晶硅进行相同剂量的离子注入作为浮栅，采集炉管中各位置的晶圆形成闪存器件后在高电平时的沟道电流值，建立晶圆在炉管中各位置对应...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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