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本发明公开了一种SRAM存储单元，由两组P型交叉耦合锁存器结构和两组N型交叉耦合锁存器结构以及四个N型传输管组成。本发明既能实现抗软错误功能，又能在近阈值电压下工作。...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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