温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底、第一导电类型漂移区、第一导电类型buffer层、第二导电类型阱区、第一导电类型源端接触区以及第二导电类型接触区，元胞两侧设有伸入到第一导电类型漂移区内的...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。