温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在复杂的SOI晶体管元件中，包埋式绝缘层可以特别地设计成包含非标准介电材料。例如，可以将电荷俘获材料和/或高k介电材料和/或介电材料结合到包埋式绝缘层中。这样，可以获得具有优良性能的非易失性存储晶体管元件和/或可以提高反向偏置机构的效率。...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。