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一种半导体结构及其形成方法、鳍式场效应晶体管的形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有分立的鳍部、位于所述鳍部之间的隔离结构以及横跨所述鳍部的伪栅结构，所述隔离结构顶部低于所述鳍部顶部；形成至少位于所述伪栅结构侧壁上的侧墙；形成...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。