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本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一器件区域和第二器件区域，在所述第一器件区域和所述第二器件区域中均形成有鳍片和虚拟栅极结构；在所述第二器件区域上形成间隙壁材料层，以覆盖所述第二器...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。