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本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面上形成有栅极堆叠结构；以栅极堆叠结构为掩膜对半导体衬底进行刻蚀，以在栅极堆叠结构两侧的半导体衬底中形成凹槽；在栅极堆叠结构的至少一侧形成包围凹槽的缓冲扩散层；在...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。