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本发明公开了一种优化沟槽的肖特基结势磊二极管及其制作方法，包括：S1、提供一SiC基体，该SiC基体的上表面具有沟槽；S2、在所述SiC基体的上表面除所述沟槽以外的其它部分依次沉积含硼的第一SiO2薄膜层、含磷的第二SiO2薄膜层；S3、采...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。

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