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本发明公开了一种芯片测试方法,首先,在一层氧化膜上形成一个或者多个标准尺寸及厚度的pad,然后去除氧化膜,使pad掉落,利用静电探针将pad拾起并保存。测试时,利用静电针把pad放置于需要的地方,利用FIB将pad固定,并将pad于需要测试...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种芯片测试方法,首先,在一层氧化膜上形成一个或者多个标准尺寸及厚度的pad,然后去除氧化膜,使pad掉落,利用静电探针将pad拾起并保存。测试时,利用静电针把pad放置于需要的地方,利用FIB将pad固定,并将pad于需要测试...