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描述了一种半导体处理装置，所述半导体处理装置具有：具有壁的主体，所述壁定义所述主体内的两个处理腔室；穿过所述壁的通路，在所述两个处理腔室之间形成流体耦合；盖，可移除地耦合至所述主体，所述盖具有与所述通路流体连通的门户；气体活化器，在所述处理...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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