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描述了用于PS‑CAR光致抗蚀剂模拟的方法和系统。在一个实施方案中，方法包括通过模拟确定使用辐射敏感材料的光刻工艺的至少一个工艺参数。在这样的实施方案中，辐射敏感材料包括：第一光波长活化阈值，其控制在辐射敏感材料中产生酸至第一酸浓度并控制在...该专利属于东京毅力科创株式会社;国立大学法人大阪大学所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社;国立大学法人大阪大学授权不得商用。