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本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种大尺寸单晶氧化镓纳米片的制备方法。本方法是采用化学气相沉积设备（CVD），首先在富镓/少氧条件下热退火覆盖铂薄层的氮化镓薄膜形成包裹铂颗粒的氮化镓纳米籽晶；然后通过热氧化生长方法，由氮化镓纳米籽晶控制...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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