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本发明提供一种体区变掺杂的槽栅DMOS器件，在传统槽栅DMOS器件结构基础上，本发明具有变掺杂浓度的P型体区，保持N型源区下方的P型体区的掺杂浓度不变，提高P型接触区下方的P型体区的掺杂浓度，较高浓度的P型体区与N‑漂移区交界处的电场强度更...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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