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本发明公开了一种沟槽型MOS晶体管，其制备在衬底上，该MOS晶体管的沟槽分为两段：第一段沟槽和第二段沟槽，第一段沟槽内和第二段沟槽内分别填充第一栅极材料和第二栅极材料，第一栅极材料和第二栅极材料由栅极绝缘层实现物理上隔离，MOS晶体管的栅极...
该专利属于七色堇电子科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过七色堇电子科技（上海）有限公司授权不得商用。

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