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本发明属于功率半导体器件技术领域，具体的说涉及一种具有低噪声低开关损耗特性的IGBT器件。本发明通过在传统IGBT器件的分立浮空pbody区8内引入低噪声的P+型JFET源区13、N+型JFET栅极区14和P‑型JFET沟道区15结构，以此...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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