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本发明公开一种超级结MOSFET结构及其制造方法，该MOSFET结构包括：A型衬底、形成于所述A型衬底上的A型外延层以及形成于所述A型外延层中的B柱，所述A型外延层包括第一A型外延层以及至少一层第二A型外延层，所述B柱包括深槽蚀刻段以及至少...
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