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本发明涉及一种硅固溶强化VNbMoTaSi高熵合金及其制备方法，属于金属材料及其制备领域。该种合金成分的原子百分比表达式为VaNbbMocTadSie，其中20≤a≤35，20≤b≤35，20≤c≤35，20≤d≤35，0.01≤e≤3。所...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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