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一种半导体器件包括：存储单元区域，包括沿着沟道孔布置的存储单元，沟道孔提供在基板上以在垂直于基板的上表面的方向上延伸；以及外围电路区域，设置在存储单元区域的外面并包括低电压晶体管和高电压晶体管。低电压晶体管包括第一晶体管，该第一晶体管包括第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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