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本发明提供了一种半导体器件及其制备方法和电子装置。所述方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成鳍片,其中所述鳍片的底部关键尺寸大于所述鳍片的顶部关键尺寸,所述鳍片的底部和所述鳍片的顶部呈台阶形结构。其中所述半导体器件中的鳍片顶部和底...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。