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本发明的各个方面提出了一种用于低压或中压器件的超级结沟槽MOSFET器件及其类似器件的制备方法。依据本发明的各个方面，该超级结沟槽MOSFET器件包含一个有源晶胞区和一个端接区，端接区位于有源晶胞区外围。有源晶胞区包含带有超级结结构的器件晶...
该专利属于万国半导体（开曼）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体（开曼）股份有限公司授权不得商用。

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