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一种半导体器件包括衬底，所述衬底具有器件隔离区，所述器件隔离区界定有源区。有源鳍位于所述有源区中。栅极结构沿与所述衬底的上表面正交的方向与所述有源鳍交叠，且在与第一方向相交的第二方向上延伸。源极/漏极区设置在所述有源鳍上。接触塞连接到所述源...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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