温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种静电吸盘、等离子体处理装置以及制造半导体器件的方法。静电吸盘包括：吸盘基座，包括第一孔；第一板，位于所述吸盘基座上，其中所述第一板包括位于所述第一孔上的第二孔；第一套管，位于所述第一孔中；以及多孔区块，位于所述第一套管中，其中...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。