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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括相邻的器件区和隔离区，所述衬底上形成有分立的鳍部，其中，相邻所述鳍部的间距相等；在鳍部侧壁上形成氧化硅层；刻蚀去除所述隔离区的部分厚度鳍部和所述鳍部侧壁上的部分氧化硅层；以剩余氧化...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。