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本发明提供了一种能抑制沟道迁移率低下，提高阀值电压设定自由度的IGBT新结构的制备方法。该发明步骤如下：选择晶圆材料SiC作为衬底，从下往上依次生长p+型集电极层、n+场截止层和n‑漂移层；刻蚀n‑漂移层形成栅槽，在所述n‑漂移层的上表面生...
该专利属于厦门芯一代集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门芯一代集成电路有限公司授权不得商用。

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