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本发明提供的一种抗金属迁移的LED芯片及其制作方法，在电极表面形成电极粘附层，并在LED芯片表面沉积绝缘层，所述绝缘层通过所述电极粘附层与所述第一电极和所述第二电极形成连接，保护所述第一电极和所述第二电极，减少水汽渗入，延长金属迁移距离，增...
该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。

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