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本发明公开了一种中厚外延的制备方法，包括以下步骤：包括以下步骤：步骤一、进行腔体刻蚀，其中，在腔体的基座和出气口之间设置吸热装置，步骤二、在基座上生长一层多晶硅层；步骤三、硅片进入腔体进行外延生长。本发明可以降低外延制备的气体成本及保养成本...
该专利属于上海晶盟硅材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海晶盟硅材料有限公司授权不得商用。

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